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2021年半导体全面涨价!

Carol Li ? 2021-01-06 08:51 ? 次阅读

电子发烧友报道(文/李弯弯)在过去的一年中,半导体领域产品价格频繁上涨,这个趋势极有可能在新的一年里持续蔓延,新年伊始,已经有数十家半导体公司宣布从2021年1月1日进行产品价格调涨,就在昨天Microchip也宣布公司很多产品将从1月15日开始调涨。

从各家公司的涨价函中可以看到,多数都因为受疫情影响,上游原材料供应紧张,晶圆代工产能不足等,造成公司成本上升,为了能够更好的服务下游客户,公司决定进行价格调整。

从目前的情况来看,半导体产品的涨价似乎会比前几个月更为猛烈,之前各家公司基本上是部分或者少数产品调整,现在各家公司基本上是大部分产品,甚至是全部产品进行较大幅度的价格调整。

数十家半导体厂商价格调整详情:

Microchip

2021年1月4日,Microchip就发布了新年里的第一份涨价通知,该公司表示,受疫情等各种因素影响,全球供应链趋紧,上游材料涨价,为了能够更好的服务客户,从2021年1月15日开始,公司的很多产品线价格将上调。

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得一微电子

当大家还在元旦假期中的时候,存储控制芯片厂商得一微电子也发布了其新年里的第一份涨价通知,该公司表示,所有嵌入式存储控制芯片在现行价格基础上统一上调50%,调整方案从2021年1月1日0时执行

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山东晶导微电子

在2020年的最后一天,山东晶导微电子发布涨价通知,该公司表示,从2021年1月1日起发货的所有产品价格将进行调整,所有未交订单都将以调涨后的价格为准,如有不接受,可以取消订单。

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上海贝岭

上海贝岭于2020年12月30日发布涨价通知表示,自2021年1月1日起,公司产品价格将根据具体产品型号做不同程度的价格上调,2021年1月1日起发货的订单均按照调整后的单价执行。

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AlphaandOmega(万国半导体)

万国半导体发布涨价通知表示,从2021年1月1日起,该公司的所有产品都将涨价20%。

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矽力杰

矽力杰早在2020年12月18日就发布涨价通知,该公司表示,因受疫情影响,供应商的很多原材料供应紧张,该公司的所有产品将自2021年1月1日全面调涨。

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汇顶科技

汇顶科技在2020年12月28日给各代理商和客户发布涨价通知函,该公司表示,从2021年1月1日起,公司的所有产品美金价格在现行价格的基础上统一上调30%,所有之前收到单位交付的订单也需要重新进行价格变更。

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新洁能

无锡新洁能于2020年12月21日发布价格调整通知函表示,自2021年1月1日起,公司产品价格将根据具体产品型号做不同程度的调整,系统中未交订单也将同步执行调整后的价格。

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士兰微

杭州士兰微2020年12月9日发布产品调价通知,该公司表示,由于MOS圆片及封装材料价格上涨,同时又受产能的影响,公司相关产品的成本不断上升,从2020年12月9日起,该公司的SGTMOS产品的价格提涨20%。

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Diodes(美台半导体)

美台半导体近日也发布了涨价通知表示,从2021年1月开始,公司部分产品价格将进行调涨,具体涨价幅度未公布,不过客户可以与该公司的销售团队进行沟通了解。

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华微电子

华微电子在价格调整的沟通函中表示,由于原材料等成本持续上涨,资源紧张、采购周期延长,公司供货成本大幅增加,因此觉得将产品价格上调10%,从2021年1月1日开始执行。

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捷捷微电

捷捷微电在2020年11月16日发布涨价通知,该公司表示,从2020年11月16日起,该公司的芯片产品售价上涨15~30%,成品器件售价上涨10~20%。

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富满电子

富满电子2020年12月16日发布涨价通知表示,从2021年1月1日开始,该公司所有产品含税价格在现行价格基础上统一上调10%,未来将根据市场的动态变化随行就市持续调整。

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可以看到,半导体行业基本上是在全面涨价,覆盖不同领域、不同产品,这里已经汇集了数十家半导体公司的涨价通知,包括功率、存储等等。不少半导体产业大咖近段时间在参加电子发烧友《2021年半导体产业展望》的时候有谈到,半导体行业供应紧张和涨价的情况在2021年上半年将会持续。因此,各厂商还需提前计划,制定好有效的措施降低缺货涨价带来的风险。

本文由电子发烧友网原创,未经授权禁止转载。如需转载,请添加微信号elecfans999。


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TP5322 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

TP2640 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-400V,15欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.0V) 高阻抗 低输入电容 快速切换速度 低导通电阻 免于中学故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:04 ? 29次 阅读
TP2640 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-400V,15欧姆

TP2540 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-400V,25欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为60pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:04 ? 40次 阅读
TP2540 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-400V,25欧姆

TP5335 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-350V,30 Ohm

信息 TP5335是一款低阈值增强型(常关)晶体管,采用先进的垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速的各种开关和放大应用需要切换速度。 高输入阻抗和高增益 低功率驱动器要求 Ease of并联 低连续供电和快速切换速度 出色的热稳定性 整体式源极 - 漏极二极管 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:04 ? 61次 阅读
TP5335 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-350V,30 Ohm

TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,25欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为60pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:04 ? 54次 阅读
TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,25欧姆

TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.0V) 高阻抗 低输入电容 快速切换速度 低导通电阻 免于中学故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:04 ? 56次 阅读
TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 ? 55次 阅读
TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 ? 67次 阅读
TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-240V,8欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 ? 76次 阅读
TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-240V,8欧姆

TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 ? 49次 阅读
TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,6.0欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 高输入阻抗和高增益 低功率驱动要求 &nbsp ; 易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体来源 - 二极管 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 ? 76次 阅读
TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,6.0欧姆

TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 ? 82次 阅读
TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为85pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 ? 88次 阅读
TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-20V,2.0欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 ? 80次 阅读
TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-20V,2.0欧姆

TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,2.0欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值95pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 ? 258次 阅读
TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,2.0欧姆

TC1321 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为群

信息 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。与TC1321的通信通过简单的2线SMBus / I2C?兼容串行端口实现,TC1321仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 10位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电。 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断。< / p> Monotonicity Ensured。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:02 ? 176次 阅读
TC1321 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为群

TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为地面

信息 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。通过简单的2线SMBus / I2C?兼容串行端口与TC1320进行通信,TC1320仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 8位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断 8引脚SOIC和8引脚MSOP封装 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:02 ? 128次 阅读
TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为地面

TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

信息 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。例如,5uV最大VOS规格比行业标准OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移规格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性电位器调整以及修剪器损坏引起的可靠性问题。无需额外的制造复杂性和激光或“齐纳击穿”VOS微调技术所带来的成本,即可实现TC7650的性能优势。 TC7650归零方案通过温度校正DC VOS误差和VOS漂移误差。归零放大器交替校正其自身的VOS误差和主放大器VOS误差。失调归零电压存储在两个用户提供的外部电容上。电容连接到内部放大器VOS零点。主放大器输入信号从不切换。 TC7650输出端不存在开关尖峰。 14引脚双列直插式封装(DIP)具有外部振荡器输入,用于驱动归零电路以获得最佳噪声性能。 8引脚和14引脚DIP均具有输出电压钳位电路,可最大限度地减少过载恢复时间。 低偏移和偏移漂移的零漂移架构 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 宽工作电压范围,4.5V至16V 单一和拆分供应 No 1 / f Noise 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:07 ? 163次 阅读
TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器

信息 TC7652是TC7650的低噪声版本,牺牲了一些输入规格(偏置电流和带宽)以实现噪声降低10倍。存在斩波技术的所有其他益处,即,不受外部调整部件的偏移调整,漂移和可靠性问题的影响。与TC7650一样,TC7652仅需要两个非关键的外部电容来存储斩波的零电位。没有明显的斩波峰值,内部影响或超量程锁定问题。 漂移操作电压:5到16 单一和分离供应 低噪音 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:07 ? 179次 阅读
TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器
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